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片，不同的晶片，价格差异很大。日本、美国的晶片较贵，一般台湾及国产的晶片价格低于日、美（Cree）。 8、晶片大小晶片的大小以边长表示，大晶片led的品质比小晶片的要好。价格同晶片大
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120881.html2010/12/14 21:50:00
类是美国Cree公司为代表的sic衬底。传统的蓝宝石衬底gan芯片结构，电极刚好位于芯片的出光面。在这种结构中，小部分p-gan层和"发光"层被刻蚀，以便与下面的n-gan层形成电接
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
1） 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多，锗管为ma级，硅管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级，所以在相同掺杂浓度下硅的少子浓度比锗的少子浓
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120870.html2010/12/14 21:47:00
底gan基led制造技术受到业界的普遍关注。 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国Cree公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此，研
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
控装置分段式灯具触摸、遥控两用开关墙壁开关电子整流器日光灯的开关功能节能灯（on/off），在接节能灯时，可控硅最小要用bt136；其它需要控制的电
http://blog.alighting.cn/szxcddz/archive/2010/12/14/120797.html2010/12/14 16:57:00
用开关墙壁开关日光灯的开关功能节能灯（on/off），在接节能灯时，可控硅最小要用bt136；其它需要控制的电
http://blog.alighting.cn/szxcddz/archive/2010/12/14/120799.html2010/12/14 16:57:00
韩国多晶硅生产商oci company, ltd.今日斥资4730万美元订购gt solar最新型sdr?400 cvd反应器。该订单将被纳入gt solar当前的2011会计年
https://www.alighting.cn/news/20101214/115688.htm2010/12/14 9:16:15
较理想的，现在已成为降低内应力的主要方法。该方法通常是在环氧树脂中添加大量的二氧化硅之类的无机填充剂粉末，大幅度降低封装材料的线膨胀系数，达到降低内应力的目的。为了使填充的大量无
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
0 lm/w，这种新型结构在国内尚无产品，处于空白状况，目前国内所用的高流明效率的ingaalp功率型硅衬底led芯片全部从海外进口。 整个“十五”期间，我国的ingaalp超
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
温小于135℃，与之对应led退化率也很小，所以引起塑料封装材料变化，对led的寿命有重要的影响的温度范围是135～145℃，另外，在大电流条件下，封装材料甚至会碳化[4－6
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
