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光l e D 具有体积小，使用可进行平面封装，或根据使用环境或状况使用多颗或进行多种组合，并且具有发热量低，发光寿命长( 5 万小时以上)、不易破，极具耐震与耐冲击性，可在较恶劣的
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133880.html2011/2/19 23:38:00
们需要为电流提供一条通路。这可以通过图2D中的续流二极管来实现，图中我们用n通道mosfet来代替开关，并且加上电阻器r用以测量流经leD的电流。 当电流降至
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
时，q1关断并保持一个固定时间，电感中的能量流过D1和leD。经过这个固定时间后，q1重新导通，如此循环往复。 电路工作原理分析 下面对电路的工作原理进行更详细地分析，以得
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134100.html2011/2/20 22:21:00
成一个单元，硅基片的底面为稳压二极管的p区，n区通过铝导电反光层与每组leD的正、负极分别连接在一起，通过合金工艺实现欧姆接触。smD电容c1，c2，c3和二极管D1设计在外围区
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
正端(vDD)相连，流经电感器的电流开始呈线性迅速上升。当pwm信号达到高电平时，功率开关q1就会断开，此时，电流流经二极管D，来维持电流回路。 电容器co会过滤经调节的输
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
入电压下最佳占空比的近似值： 其中rb为整流器电阻，与应用电路中的r11相同，在本应用中设定为1。vD为整流二极管D1的正向压降。 将已知数值代入上式得
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134150.html2011/2/20 23:07:00
右）是一个强宽谱带，它的发射峰与 eu2+ 浓度相关，在 583~603nm 范围。这类激发和发射光谱是 eu2+ 的 4f～7 4f b 5D 跃迁。荧光体的发光强度随 eu2
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00
过今日手持装置的应用愈来愈多，其它环节的用电也在成长（如手机照相闪光灯、手机数字电视、手机3D电玩、手机mp3随身听等），背光部份的成长有时反成为次要问题。当然！wleD还有其它优
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134167.html2011/2/20 23:15:00
ton="ipkl"/vin 此时，存储在电感内的总能量(j)为： j="li2pk"/2 这样，尽管此时开关会关闭，但流经电感的电流并不会中断。这会使二极管D1导通，并
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134170.html2011/2/20 23:17:00
定的。电感的额定电流必须大于最大输出电流(本设计为0.3 a)，电感值的选取可以由下式计算得到： 式中，l为临界电感量；uo为输出电压；D为占空比；ts为开关工作频率；io为输
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134173.html2011/2/20 23:18:00
