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小的ram区：a区和B区，让单片机交替进行写操作。当单片机在写a区时，fpga就去读B区的字模数据；当单片机写B区时，fpga就去读a区的字模数据。这样就不会造成fpga的停止扫
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
流模式控制简化了控制到输出的转换功能。电压调节器和电流调节器的性能都可以借助如下的功率级转换方程进行预测： 公式中电压调节器和电流调节器的不同，可以参考下面的图1a和1
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134114.html2011/2/20 22:52:00
[(a/B)( a+2x)/(B+2x)]}/ 2k(a-B) 式中，a和B分别为硅基板的长和宽； x为硅基板的厚度；k为硅基板的热导率。 4 主要参数测试结果 4.
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134111.html2011/2/20 22:50:00
本的测量方法，图5为基于cie puBlication no.127的测量仪器，该仪器除能同时实现cie condition a、B外，还能让被测led转动角度，实现在不同角度下测
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134109.html2011/2/20 22:49:00
v641620是flash存储器芯片，单片存储容量为16 m图2485接口电路、a6B595和a6276级联电路原理图位(2 mB)，8/16位数据宽度，本系统采用16位数据宽度的工
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134099.html2011/2/20 22:20:00
2B所示。 2、采用线性电流源 加上一个晶体管和/或一个运算放大器，可以把电流非常精确地设置为350毫安。不幸的是，总体效率和r的功率损耗问题依旧。 3、采用低端开
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
池，其串联内阻一般在0．05—0．010之间。由表l可知，若采用聚光系统性能好(串联内阻小)的常规太阳电池最多可以在20倍光强下工作，能得到较好的效果，若再增加光强，收效很小，反
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134085.html2011/2/20 22:09:00
1， 欧洲人懒。因此不要指望在什么阿里巴巴，或什么B2B网站的注册 ，发布信息。那种东西只有欧洲的一些太过于精明和太了解中国的中间商才用。因为他们知道。凡是用这个的价格会压的超
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/2/20/133971.html2011/2/20 8:43:00
构，再从另外一个角度来说明。光子晶体的特性就是周期构造，也因此会产生多重反射。图一B表示了光子晶体所构成的波数矢量数和光的频率比例，可以发现频率的曲线不像图一a是那么单纯，曲线已
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133877.html2011/2/19 23:37:00
