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路的工作原理,结合阈值漂移模型仿真了电路在长时间工作下阈值漂移对驱动电流稳定性的影响,并提出了相应的解决办法。研究结果表明合理的像素电路设计可以有效改善驱动电流的稳定
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出gan/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
用x射线衍射(xrd)谱和光致发光谱进行了表征.实验结果表明,随着退火温度的提高,zno薄膜的压应力减小,并向张应力转化
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
现包含散射机制的非直接的俄歇效应非常显著。这一发现使得在以往理论研究中，用直接俄歇过程预测led光衰和实际测量结果不符的现象得以解
https://www.alighting.cn/news/201153/n979331737.htm2011/5/3 9:00:25
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
行了表征。结果表明:在衬底温度为1 100℃时生长的薄膜质量较好,在较低温度(1 000℃)和较高温度(1 200℃)条件下生长的薄膜质量较
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
简单介绍了目前国内大功率led芯片的现状,对部分产品进行了详细的封装研究,结果显示,国产芯片在光效方面提升迅速,最高已达110 lm/w,主流水平位于90～100 lm/w之
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127236.htm2011/8/29 17:13:56
对2种大功率led封装模组的一些性能参数,如正向电压、光通量、相关色温、显色指数和发光效率的热变化特性等进行了实验测试,并进行了相关分析。实验结果表明,大功率led封装模组的高结
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127238.htm2011/8/29 16:47:11
围,设计了基于top249y的电源适配器。结果表明,该系统能有效地实现对灯的智能控制,并提高用电效率,节省电
https://www.alighting.cn/resource/20110819/127283.htm2011/8/19 16:47:19
生长在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析 ,结果表明 ,可在这种衬底上成功地生长出 6h sic单晶薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
