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会定价很低，20%成本认为很合理，最大的问题是怎样更有创新，设计更合理。 散热成本要维持在5%,实际散热设计很简单，把住两个方向：一是，led芯片与外散热器件路径越短越好，越
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246944.html2011/10/20 17:51:15
、1.5mm...5mm厚度，最厚可以达到16mm,压缩摸量是20%-25%,可以有效地将热量传递到散热器件上.更多使用方式、资讯及测试样品请与我联系!另外采用导热硅胶片，也是很
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246935.html2011/10/20 17:48:08
据发热功率器件的大小及形状任意裁切，具有良好的导热能力和绝缘特性.该产品的导热系数是2.45w/mk,而空气的导热系数仅有0.03w/mk;抗电压击穿值在4000伏以上,在大部分电
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246933.html2011/10/20 17:48:03
宽带隙的gan作为半导体领域研究的热点之一,近年来发展得很快。p型gan的欧姆接触问题一直阻碍高温大功率gan基器件的研制。本文讨论了金属化方案的选择、表面预处理和合金化处理等几
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:36:53
中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的gan作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延gan材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
10月13日，在晶能光电(江西)有限公司采访时，该公司coo(首席运营官)张大鹏告诉记者，该公司拥有的硅衬底led材料与器件技术是本土化技术，大幅度降低了生产成本，而且是一项改
https://www.alighting.cn/news/20111018/99953.htm2011/10/18 9:16:04
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
近日，中国电科所属第13研究所及控股公司河北立德电子有限公司、同辉电子科技股份有限公司和河北神通光电科技有限公司等单位联合中标工信部电子发展基金招标项目《中功率led器件研发及产
https://www.alighting.cn/news/20111014/n527435018.htm2011/10/14 9:07:59
为规范半导体照明器件开发和应用产品市场推广，联盟从2007年开始进行了半导体照明产品技术规范的制定工作，并成立联盟标准协调推进工作组协调推动半导体照明相关标准的制定工作。联盟将继
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/11/103024_83.htm2011/10/11 10:30:24
