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基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
度好和圆头led点面积亮度高的优点，使两者取长补短，发挥最大的光效，克服了平头led点面积亮度不如圆头led,而圆头led光均匀度不如平头led的缺点。 在控制器方面，利用太阳能光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261616.html2012/1/8 22:01:56
据了解，杭州钦钺科技有限公司（ktt）自主研发的国内首款epon终端芯片即将正式投产。在互联网应用全面进入“光时代”之际，这款光通信核心芯片的研发成功引起了业内外广泛关注。（见光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261635.html2012/1/8 22:26:20
1．光电特性: led在其电流极限参数范围内流过led的电流越大,它的发光亮度越高.即led的亮度与通过led的 电流成正比.但绿光和蓝光及白光在大电流情况下会出现饱和现
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262589.html2012/1/29 0:32:05
ｄ发光具有很强的方向性，从而可以更好地控制光线，提高系统的照明效率。比如，ｃｈｉｐｓ ｃｈｉｐａｌｋａｔｔｉ在美国光电产业发展协会（ｏｉｄａ）举办的半导体照明研讨会上发
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262635.html2012/1/29 0:34:47
年来被广泛用于制造短波长的光电器件，如发光二极管（ｌｅｄｓ）和激光二极管（ｌｄｓ）。目前有关ｇａｎ材料生长报道和文献较多，有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在ｇａｎ的刻蚀和欧姆接
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55
d,hfbr－24xz内部集成了包括pin光电检测器、直流放大器及集电极开路输出schottky型晶体管的一个ic芯片,其输出可直接与流行的ttl及cmos集成电路相连。4一种实用的光
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262675.html2012/1/29 0:37:14
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262690.html2012/1/29 0:38:07
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262745.html2012/1/29 0:42:26
划的实施单位包括了多所大学、philips、thomson等大公司，以及像aixtro这样的生产半导体制造设备的公司。 日本国际贸易与工业部制订了“高效光电转换复合半导体发展计划
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
