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LED设计中的要点介绍

动时48v左右比较合适;较大的功率市电驱动输出电压36v左右最合适;离线式照明大部分是12v和24v电压。特点:基于串并联安全考虑出负载合适的驱动电压值,LED射灯尽量统一电压值减

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261356.html2012/1/8 20:20:45

受惠于LED代理线,LED照明标案利多

台湾半导体通路大厂大联大昨日走出内外资法人一连串的卖压走跌阴影,藉由拓展发光二极体(LED)与被动元件等产品代理线,且拿下北京奥运鸟巢运动馆的LED照明标案利多,作跌深反弹。

  https://www.alighting.cn/news/20080606/95239.htm2008/6/6 0:00:00

优质的无极灯的特性----光衰篇

度不足,启动困难,促使电子发射物质溅散,使光衰提高,寿命也将缩短。 无极灯的光衰机理: 对于无极灯管,如果采用传统的有机涂液粉时,光衰的主要原因是预成形的玻管涂粉后粉层中的硝

  http://blog.alighting.cn/LVDEXPERT/archive/2010/10/21/109359.html2010/10/21 20:13:00

低频无极灯的特性1---光衰

命缩短。电源电压降低时,电流减小,电极温度不足,启动困难,促使电子发射物质溅散,使光衰提高,寿命也将缩短。 无极灯的光衰机理: 对于无极灯管,如果采用传统的有机涂液粉时,光

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179115.html2011/5/17 16:45:00

LED 光源的特点

1. 电压:星际照明LED 使用低压电源,供电电压在 6-24v 之间,根据产品不同而异,所以它是一 个比使用高压电源更安全的电源,特别适用于公共场所。 2. 效能:消耗能量较同

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/15/317211.html2013/5/15 10:53:53

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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