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产。据预测,到2005年国 际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生
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素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
人从高压熔体中得到了单晶氮化镓体材料,但尺寸很小,无法使用,目前主要是在蓝宝石、硅、碳化硅衬底上生长。虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档氮化镓发光二极管产品,但高档产品只能在氮化镓
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢气或氮气作为载气,通入液体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表
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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
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测,到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。在led产业链接中,上游是led衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为led芯片设计及制造生产,下游
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
体质量。首先在合适的衬底上(蓝宝石或碳化硅)沉积一层gan,再在其上沉积一层多晶态的 sio掩膜层,然后利用光刻和刻蚀技术,形成gan窗口和掩膜层条。在随后的生长过程中,晶圆gan首
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期的技术突破实现了第一个基于gan的实用led。现在还有许多公司在用不同的基底如蓝宝石和sic生产ganled,这些led能够发出绿光、蓝光或紫罗兰等颜色。高亮蓝色led的发明使真
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石衬底的双电极晶片的片式led,同时,也可适用于制作单电极晶片的普通片式led。四、pcb板线路设计要求1、固晶区:固晶区的大小设计是由晶片大小确定的。在满足能安全固好晶片的情况
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前只能通过外延生长技术的变更和器件加工工艺的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多,但是能用于生产的衬底目前只有二种,即蓝宝石al2o3和碳
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