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led(发光二极管)作为一种新型光源，由于具有高效节能、绿色环保、使用寿命长等诸多优点，近年来发展迅速，并成为照明领域研究的热点。本文设计了一种以at89s51单片机为核心的红
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125587.htm2013/5/21 11:00:32
该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型基元led的研究,这种管型基元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的基片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导
https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12
研究了led的高速调制特性,提出了电流限制层结构,在led器件的驱动电路上增加一对并联的rc元件的新的设计思想,该技术在工艺上很容易实现且在改善高速led性能方面有实际应用价值。
https://www.alighting.cn/2013/5/16 11:50:13
常见背光方式：led(发光二极管)和ccfl(冷阴极荧光灯)。lcd目前较常采用ccfl作为背光光源，但因ccfl背光驱动线路复杂，要求驱动电压高及演色性能力等因素，再加上背
https://www.alighting.cn/2013/5/16 10:51:30
采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(100
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
m)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些zno薄膜在生长温度400℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
用双舟热蒸发技术在硅衬底上制备硫化锌电致发光薄膜,用xrd、xps技术和电致发光谱分析技术,研究该薄膜的微结构与发光特性.发现硅衬底上硫化锌薄膜与硫化锌粉末在晶体结构上存在差
https://www.alighting.cn/resource/20130514/125608.htm2013/5/14 11:12:06
制备了人工opal晶体模板,运用mocvd方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了mocvd生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
究了表面形貌和晶体质量,优化出满足高效太阳能电池要求的高质量gaas单晶层生长条
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
采用普通的alq∶dcm红光发光材料体系,制作了结构为glass/dbr/ito/npb/alq∶dcm/ mgag的有机红光微腔发光器件,实现了纯红光发射,器件发射峰位于600
https://www.alighting.cn/2013/5/8 11:30:11
