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xrd和pl谱测试结果表明,提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后,利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
https://www.alighting.cn/2015/2/6 10:55:00
本周，电气和电子工程师协会(ieee)在美国华盛顿举行了国际电子元件大会(iedm)，会上，来自日本大阪的松下集团发布了一款超高压氮化镓(GaN)功率晶体管，其崩溃电压超
https://www.alighting.cn/news/20071218/118185.htm2007/12/18 0:00:00
东京大学生产技术研究所教授藤冈洋的研究组与神奈川科学技术研究院（kast）宣布，共同开发出了在柔性底板上形成由氮化镓（GaN）构成的led技术。由于制造方法采用的是易于支持大面
https://www.alighting.cn/resource/20080229/128588.htm2008/2/29 0:00:00
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
英业达借广镓光电办理30亿新台币的现金增资之机，投资led业，以5.4亿取得4.9%的股权。
https://www.alighting.cn/news/20091126/118951.htm2009/11/26 0:00:00
研究了氮化铝薄膜对 led 灯散热情况的影响,并与导热硅脂(ks609)涂层的散热效果进行了比较, 结果表明：导热涂层能加强 led 的散热,氮化铝薄膜散热效果优于导热硅脂；对红
https://www.alighting.cn/resource/20130304/125968.htm2013/3/4 13:53:37
台湾led晶片厂晶电整并广镓成效显现，据了解，广镓经过晶电整并半年后，已在6月达到损益两平的目标，符合原先晶电董事长李秉杰预估广镓将在第三季转盈的说法。
https://www.alighting.cn/news/2013730/n954754397.htm2013/7/30 11:13:25
https://www.alighting.cn/news/20130731/112245.htm2013/7/31 9:26:14
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
