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近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
台湾led晶片厂晶电整并广镓成效显现，据了解，广镓经过晶电整并半年后，已在6月达到损益两平的目标，符合原先晶电董事长李秉杰预估广镓将在第三季转盈的说法。
https://www.alighting.cn/news/2013730/n954754397.htm2013/7/30 11:13:25
https://www.alighting.cn/news/20130731/112245.htm2013/7/31 9:26:14
led外延台厂广镓光电（8199）于日前在中科举行的股东临时会上进行董监改选。原本计划改选4席董事与3席独立董事，但因其中2席独立董事资格审查作业疏失，因此只选出了4席董事与1
https://www.alighting.cn/news/20100906/105743.htm2010/9/6 0:00:00
继晶电、璨圆、泰谷大举筹资后，广镓也宣布将以每股30元新台币办理现金增资，共计筹资36亿元新台币。光鼎则预计发行现金增资以及可转换公司债，共筹资2.7亿元新台币。
https://www.alighting.cn/news/20091012/116795.htm2009/10/12 0:00:00
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
采钰科技与中山科学研究院第四研究所在台湾“经济部”技术处科专计划支援下，共同合作开发晶圆级氮化铝led技术，其20w 超高功率vises系列led氮化铝封装灯珠产品，已于11月成
https://www.alighting.cn/news/20121219/n648347024.htm2012/12/19 8:50:55
