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[原创]led散热(二)

瓷基板。这种陶瓷基板是由氧化铝和氮化铝构成。各种材料的导热系数如下表所示。   不论氮化铝还是氧化铝,它们都是一种绝缘的陶瓷材料,所以可以把印制电路做在上面。但是氮化铝具

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267556.html2012/3/12 19:16:29

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18

[原创]led散热(二)

瓷基板。这种陶瓷基板是由氧化铝和氮化铝构成。各种材料的导热系数如下表所示。   不论氮化铝还是氧化铝,它们都是一种绝缘的陶瓷材料,所以可以把印制电路做在上面。但是氮化铝具

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267445.html2012/3/10 10:15:09

[原创]led的散热(一)

底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂,解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59

透视国内led企业专利之殇

“从目前世界范围内GaN基led产业发展来看,前5大公司——美国科瑞、德国欧司朗、荷兰飞利浦、日本日亚以及丰田合成拥有80%~90%的原创性发明专利。”耿博介绍说。  据阮军介

  http://blog.alighting.cn/228/archive/2012/3/6/267205.html2012/3/6 16:46:04

“十城万盏”:在争议中见证中国led产业的成长

界范围内GaN基led产业发展来看,前五大公司美国cree,德国osram,荷兰philips,日本nichia以及toyodagosei等五家公司拥有80%~90%的原创性发明专

  http://blog.alighting.cn/112017/archive/2012/2/16/264206.html2012/2/16 11:20:52

2012年中国led照明产业走向

2年外延芯片价格压力仍将持续。  2011年,国内GaN芯片产能增长达到12000kk/月,但产能利用不足50%,全年产量仅为710亿颗,但国产化率达到70%以上。同时,国内芯片已

  http://blog.alighting.cn/110131/archive/2012/2/15/264169.html2012/2/15 16:28:24

2011年led荧光粉简要总结和2012年展望

商的势头将更为强烈。 2011年末,美国英特美被日本三菱化学控告,侵犯其氮化物红色荧光粉的专利,凸现了知识产权的重要性。因此,2012年,谁拥有专利、且产品性价比好,谁就占据了主动

  http://blog.alighting.cn/17230/archive/2012/2/7/263748.html2012/2/7 22:37:47

预测2012年中国led照明产业走向

年外延芯片价格压力仍将持续。 2011年,大陆GaN芯片产能增长达到12000kk/月,但产能利用不足50%,全年产量仅为710亿颗,但国产化率达到70%以上。同时,大陆芯片已经通

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/2/6/263674.html2012/2/6 15:40:31

飞利浦欧司朗等五led巨头联手筑led专利壁垒

角日亚化学。以GaN作为材料的led,日亚化学仍旧是主要供应商。由于大量的专利保护,GaN技术几乎成为了日亚化学的垄断资产。纵然目前各大巨头都在进行一定的交叉授权,但在日亚化学领

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263601.html2012/2/4 14:56:31

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