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碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127427.htm2011/7/14 17:29:12
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对GaN材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
韩国研究人员通过在led芯片中集成旁路二极管的方法将氮化铟镓led的抗反向静电能力提高到了3 kv.来自韩国光技术院(kopti) 和光州科学技术院的研究人员声称：“这种led芯
https://www.alighting.cn/resource/20110706/127454.htm2011/7/6 11:12:35
目前超高亮度白/蓝光led的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶al2o3 )c面与ⅲ-ⅴ和ⅱ-ⅵ
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/1/153840_35.htm2011/7/1 15:38:40
关于“光通量的大小”，计划一个封装实现1000lm以上的光通量。对产品厂商而言，在采用多个白色led的用途方面，具有可减少部件数量、提高产品设计自由度等优点。光通量超过1000lm
https://www.alighting.cn/resource/20110628/127487.htm2011/6/28 13:56:53
白色led的“成本竞争力”、高温下性能不会降低的“温度稳定性”、可用于照明的高“显色指数”、白色led产品间的色调“均匀性”、单位封装可输出的“光通量的大小”。所有这些项目与发光效
https://www.alighting.cn/resource/20110628/127490.htm2011/6/28 10:21:07
为实现200lm/w以上的发光效率，白色led正不断进行改进。不过，白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中，温度稳定性及显色指数等能够拉开差异的
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40
本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义，现在经张国义教授的同意，发布于新世纪led网平台分享与大家，希望能够对大家
https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36
inn材料在光电子领域有着非常重要的应用价值，inn是性能优良的半导体材料。inn的禁带宽度也许是0.7ev左右，而不是先前普遍接受的1.9ev，所以通过调节合金组分可以获得从0.
https://www.alighting.cn/resource/20110612/127509.htm2011/6/12 22:37:13
继6寸晶圆产线陆续启动后，发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发，如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(GaN-on-silico
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02
