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通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ucsb）任教授一职。ucsb对于中村开发的GaN基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
流的大功率led生产。 lumileds公司，美国在2001年开发出了不同的倒装芯片的电源的algainn(fcled)结构，制造过程：第一p型氮化镓外延膜沉积在顶部的层厚度超
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
n）工作的39岁的中村修二终于发明了基于氮化镓和铟氮化镓的具有商业应用价值的蓝光led，从而引发了照明技术的新革命。凭借此项发明，他荣获2006年千禧科技奖，这相当于科技界的诺贝尔！不
http://blog.alighting.cn/smartlight/archive/2014/10/8/358650.html2014/10/8 11:00:54
采用440 nm短波长inGaN/GaN基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
诺贝尔奖官方网站消息，诺贝尔物理学奖于当地时间7日揭晓，赤崎勇(isamu akasaki)、天野浩(hiroshi amano)和中村修二(shuji nakamur) 因发明“
https://www.alighting.cn/news/20141007/97302.htm2014/10/7 20:19:31
一般来说，led外延生产完成之后她的主要电性能已定型，芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
https://www.alighting.cn/2014/9/28 9:50:24
这项成果无疑是一项重大技术突破，也为下一代电子和光电器件找到了大规模、低成本工业化生产的可能手段。而石墨烯薄膜在材料领域的广泛应用，也将会催生更多强强联合的卓越材料，拉近我们与新时
https://www.alighting.cn/news/2014928/n777666009.htm2014/9/28 9:27:04
