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图形化(pss)刻蚀设备工艺研究进展

图形化(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷,在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质,使得很难进行刻蚀和图形化制作。

  https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31

句容led蓝宝石材料项目获江苏发改委批复

近日,句容江苏同人电子年产2100万片led蓝宝石材料项目取得省发改委正式批复。项目总投资29853万美元,建筑物面积11.8万平方米,建设周期为2年。

  https://www.alighting.cn/news/20120828/99316.htm2012/8/28 15:16:45

三安光电蓝宝石项目获6000万元财政补贴

6月29日,三安光电收到福建省安溪县财政局《安溪县财政局关于拨付三安光电股份有限公司蓝宝石项目财政补贴的通知》安财企[2012]207号文件,根据县政府加快培育高新技术新兴产

  https://www.alighting.cn/news/20120702/113285.htm2012/7/2 11:33:14

激光剥离技术实现垂直结构gan基led

剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

led产业处五大转变中 工艺、、设备现状解读

通过展现led产业链企业的技术创新成果,集聚技术创新的优势资源,为产业各环节提供最新的产品,满足市场不断提升的需求,创建产业链协调发展的良好局面。

  https://www.alighting.cn/news/20140905/87632.htm2014/9/5 9:35:01

极性电气石对zno纳米片生长的影响

采用极性电气石(0001)晶面作为生长,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡

  https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19

过渡层对gegaas外延层晶体质量的影响

利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研

  https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44

天通股份3.6亿投资led蓝宝石项目

天通股份公布了其2011年中报。同时,天通股份还宣布将要进行年产60万片4英寸led蓝宝石材料技改项目,并以1914.79 万元收购六安天盈电子科技有限公司(下简称“六安天

  https://www.alighting.cn/news/20110830/114713.htm2011/8/30 9:34:21

晶能光电:中国梦 中国芯

6月10日,在广州举行的2013年新世纪led峰会外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电led研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“氮化镓大功率led的研发及产

  https://www.alighting.cn/news/2013618/n757852788.htm2013/6/18 9:12:28

科锐升级供gan-on-sic hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化氮化镓 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

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