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对不同大功率led芯片进行单次脉冲浪涌冲击，对比不同大功率led芯片在相同浪涌波形下的抗过电应力能力。实验共测试5款led产品，发现不同大功率led芯片的抗过电应力能力相差很
https://www.alighting.cn/resource/20131114/125121.htm2013/11/14 16:33:06
对于封装过程中的led芯片的检测目前还没有行之有效的方法,基于p-n结的光生伏特效应和法拉第定律,提出一种非接触式的针对led封装过程中芯片质量及芯片与支架之间连接状态的检测方
https://www.alighting.cn/resource/20110727/127386.htm2011/7/27 16:51:03
正装结构和垂直结构的芯片是gan与荧光粉和硅胶接触，而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。gan的折射率约为2.4，蓝宝石折射率为1.8，荧光粉折射率为1.
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48
目前国际led 芯片厂商有：科锐[cree]、首尔半导体[ssc]、日亚[nichia]、osram、普瑞[bridgelux]、lumileds、旭明[smileds]、丰田合
https://www.alighting.cn/resource/20110505/127658.htm2011/5/5 17:36:59
晶元芯片：ingan venus blue led chip es-cablv45c的详细资料，提供pdf全文下载，推荐下载；
https://www.alighting.cn/resource/20110330/127805.htm2011/3/30 13:38:21
来自中国光协光电（led）器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望，不错的资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详情。
https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09
随着工艺的进步，芯片内的电路密度成倍提高，并且运行在以前数倍的频率之上，而片上连线则越来越细，片上供电网络必须将更多的电力以更少的连线资源送至每个单元，如果不能做到这一点，芯
https://www.alighting.cn/resource/20140811/124364.htm2014/8/11 14:10:07
led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前，它是许多led芯片和封
https://www.alighting.cn/2013/2/27 10:58:01
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
光收发芯片是高速光模块的核心器件，也是光通信系统接入网的关键器件，一直以来都是光通信领域的研究热点。激光器平均光功率和消光比参数控制、实时数字诊断侦测是光模块的重要性能指标，在
https://www.alighting.cn/resource/20140417/124667.htm2014/4/17 13:40:35
