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led制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍，至关重要的是所有的生产步骤的推进都要产生最佳的效果。优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器件的输出并
https://www.alighting.cn/resource/20111104/126921.htm2011/11/4 14:05:13
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
伴随着高功率 led技术迭有进展，led尺寸逐渐缩小，热量集中在小尺寸芯片内，且热密度更高，致使led面临日益严苛的热管理考验。为降低 led热阻，其散热必须由芯片层级(chip
https://www.alighting.cn/resource/20111101/126937.htm2011/11/1 10:53:43
本文为晶科电子(广州)有限公司工程部陈庆坚先生所做的关于倒装焊芯片的讲座，为重详细讲解了三种路线的比较以及倒装焊模组的优势之处，设计热管理，可靠性等诸多方面，推荐下载；
https://www.alighting.cn/resource/20111031/126941.htm2011/10/31 18:04:02
led本身不断进行高辉度、低消费电力、长寿命进化，市场对le的低价化要求也越来越强烈，因此各led厂商革新制程成为主要课题。接着要介绍高效率切割高辉度led蓝宝石基板的雷射加工技
https://www.alighting.cn/2011/10/28 17:41:03
i衬底gan led的理想因子为6.6,对应着半峰宽707arcsec;理想因子为4.5时,对应半峰宽530arcsec。蓝宝石衬底gan led理想因子为3.0,其对应半峰宽40
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
激光刻划led刻划线条较传统的机械刻划窄得多，所以使得材料利用率显著提高，因此提高产出效率。另外激光加工是非接触式工艺，刻划带来晶圆微裂纹以及其他损伤更小，这就使得晶圆颗粒之间更紧
https://www.alighting.cn/2011/10/21 14:33:06
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
本文为华宝证券公司关于led行业衬底细分市场的详细报告——《下游繁荣带动上游建设—led衬底行业报告 》，为内部参考资料，本网站仅作为分享所用，版权为华宝证券所有;
https://www.alighting.cn/2011/10/17 17:34:42
