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《高压发光二极管(hv led)芯片开发及产业化》通过对普通蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备出正装高压发光二极管(hv le
https://www.alighting.cn/resource/2011/6/20/162618_06.htm2011/6/20 16:26:18
通过对蓝宝石衬底外延生长、芯片微晶粒分立阵列及微晶粒间电极桥接等多种技术手段的研究，制备正装高压发光二极管(hv led) ，其产业化光效已超过 110lm/w;10μa 下点
https://www.alighting.cn/resource/20110604/127514.htm2011/6/4 22:12:37
在led整个工艺流程中，外延片的设计和生长、芯片的设计和电极的制、以及大功率led的封装是技术难度较高的环节。led产业链需要的生产备种类繁多，集中在衬底制备、外延片和芯片制造以
https://www.alighting.cn/resource/20110521/127573.htm2011/5/21 15:38:17
《led侧发光平面光源项目光学方案》内容:由于底发光平面光源，不符合轻薄短小的趋势，因此，目前多以侧光式为主，导光板的作用在于引导光的散射方向，用来提高面板的亮度，并确保面板亮
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/9/162319_94.htm2011/5/9 16:23:19
长的厚膜ingan材料,在zno衬底上生长的厚膜ingan材料
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
利用低压mocvd系统,在蓝宝石衬底上外延生长了ingan/gan多量子阱蓝紫光led结构材料。研究了生长温度对有源层ingan/gan多量子阱的合金组分、结晶品质及其发光特
https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08
硅晶柱长成后，整个晶圆的制作才到了一半，接下必须将晶柱做裁切与检测，裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理，最后才能成为一片片价值非凡的晶圆，以下将对晶柱的后处理制程
https://www.alighting.cn/resource/20110421/127709.htm2011/4/21 15:40:34
led的应用面很广，然而芯片本身价格过高和发光效率有待提升的问题，始终困扰着led照明技术的推广普及。发光效率要提升，就要有效增加取出效率。
https://www.alighting.cn/resource/20110414/127751.htm2011/4/14 13:06:53
该能让人在无视觉干扰的最佳条件下观看比赛场面，而良好的可见度对游泳者也是十分重要的。由天然光或人工光在水面上产生的反射光亮度要比池底的亮度高得多，能使观众不能看到水里的情况，更严
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/24/11589_40.htm2011/3/24 11:58:09
