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科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2，引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
美国科锐公司(cree)开发出了直径为150mm(6英寸)、晶型结构为4h的n型sic外延晶圆，此次开发的晶圆厚100μm，可使用现有的150mm晶圆的设备来制造。
https://www.alighting.cn/pingce/20120905/122279.htm2012/9/5 11:54:18
该款高性能 170 lm/w原型led灯泡所采用的创新技术能够显著提高光效并降低灯具整体成本，从而进一步展现了科锐致力于通过降低初始成本、缩短回本期以加速led 照明普及的不懈努
https://www.alighting.cn/pingce/201281/n934141885.htm2012/8/1 9:48:10
第三方独立实验室 onspex 测试指出，科锐新型170 lm/w原型led灯泡的光通量超过1250 lm，而功率消耗仅为7.3 w，创下业界新纪录。原型灯泡采用科
https://www.alighting.cn/pingce/20120801/122222.htm2012/8/1 9:47:39
科锐无线射频(rf)及微波部门总监 jim milligan表示：“最新的 pdk 能够帮助无线射频设计工程师，通过采用安捷伦公司2011年发布的 ads(一款业界领先的电子设
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出 xlamp? xp-g2 led。较之于前一代 xp-g led，为照明灯具生产商提供了20%的更高光效和2.5倍的性价
https://www.alighting.cn/pingce/2012713/n619641279.htm2012/7/13 11:10:36
tom dekker 表示：“与同频率范围的 gaas 电晶体相比，科锐0.25微米gan hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27
科锐公司(cree)宣布推出可适用于军用和商用s 波段雷达中的高效gan hemt 晶体管。全新60w gan hemt psat 晶体管帮助降低军用和民用雷达系统，对于高功率放
https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122233.htm2012/7/11 9:33:21
科锐将重新界定大功率应用的性能和能效，推出全新产品系列——50a碳化硅功率器件。该产品系列不仅包括业界首款1700v z-fet?碳化硅mosfet器件，还包括1200
https://www.alighting.cn/pingce/20120514/122690.htm2012/5/14 9:35:49
单芯片led在4a下工作时，冷白光型的光通量为1050lm、光效为72lm/w，暖白光型为760lm，光效则为52lm/w，cree共同创始人及先进光电子部主管johnedmond
https://www.alighting.cn/pingce/20120511/122694.htm2012/5/11 9:56:51
