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起的。 1. 内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使pn区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
纸要求订做。 ▲ 涂层处理彩光仕达创新的专利技术——静电涂粉技术专注生产。 ▲ 灯罩透光率高，多种透光率可根据客户光源订制（看不到光源情况下，透光率﹥88%），光漫透射性好，照
http://blog.alighting.cn/GDGSD8/archive/2011/3/2/137498.html2011/3/2 14:01:00
、移动电话背光、汽车尾灯、短距离通信、光电计算机互联等。但是由于非辐射缺陷的作用，使得 gan 基发光二极管的内量子效率在室温时，远远小于 100% 。此外，导致 gan 基发光二极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
0-410nmnuv,450-460nm 蓝光均能高效地激发，发射红光。 研究表明，m2si5n8:eu 氮化物在 465nm 激发下的量子效率 h q 按 ca-ba-s
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134154.html2011/2/20 23:08:00
场。 3.１、ｌｅｄ芯片 芯片是ｌｅｄ的核心，它的内部量子效率的高低直接影响到ｌｅｄ的发光效能，非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的ｌｅｄ芯片，才可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134144.html2011/2/20 23:06:00
级lif/al/lif/ al 量子阱[4]阴极结合起来，以及对其它结构如alq3/al，alq3/lif/al和 alq3/al/lif/al等，人们也有相当多的研究。众所周知，基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光，据报导，目前gan芯片的外量子效率在30％－40％左右，因此，由于芯片晶体的内部吸收，能射出到晶体外面光线的比例很少。据报导，目
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
顺向导通电流（vf×if，f＝forward）求得。■裸晶层：「量子井、多量子井」提升「光转效率」 虽然本文主要在谈论led封装对光通量的强化，但在此也不得不先说明更深层核心的裸晶部
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
来将计划推相关的测量技术，探索其它材料的不均一结晶的广泛应用。 ■为什么缺点那么多却还可以发光？ 自从把alinn的量子井运用到发光部分，而开发出蓝色、绿色led以
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
性较好。由于这种方法的生长速率较慢，可以精确地控制膜厚，特别适合于量子阱、超晶格等超薄层结构的材料生长，但对于外延层较厚的器件，如leds和lds，生长时间较长，不能满足大规模生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
