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zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必须
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
本文基于pt4115设计了一种可调光的buck型大功率led驱动电路,对其外围电路进行了优化设计,并针对负载电流热补偿和降低输出纹波进行了电路的改进。
https://www.alighting.cn/resource/20130412/125741.htm2013/4/12 10:33:47
本文介绍了一种新型的色温可调led,利用大功率led 芯片结合金属基板封装出了色温可调的暖白光高显色指数led样品，测试了led的光谱性能、色温、显色指数随驱动电流的变化，结果显示
https://www.alighting.cn/resource/20130105/126204.htm2013/1/5 14:36:36
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲，本文主要围绕着硅衬底的led技术展开，到硅衬底led的
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为gan的
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
项目针对芯片封装热阻过高、工作寿命短、出光效率低，模组互换性差等问题主要进行以下方面研究： 1、研究内容： (1)陶瓷基共晶焊薄膜荧光粉大功率led封装技术。由于封
https://www.alighting.cn/resource/2010819/V1139.htm2010/8/19 11:47:33
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
镇流、金卤灯综合测试系统介绍、金属卤化物灯的发展概况和趋势、欧标&美标金属卤化物灯电感镇流器及其发展研讨会、浅析我国金卤灯发展现状及未来展望、陶瓷金卤灯的发展及关键技术、陶瓷金卤
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/23/144335_05.htm2012/4/23 14:43:35
导读：大功率led器件的生产，需要制备合适的大功率led芯片，本文主要介绍国际上制造大功率led芯片的几种主流方法。
https://www.alighting.cn/resource/2012/5/20/214917_67.htm2012/5/20 21:49:17
为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
