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实现200lm/w以上的发光效率和高易用性

为实现200lm/w以上的发光效率,白色led正不断进行改进。不过,白色led所必需具备的特性已经不仅仅是发光效率了。在白色led普及的过程中,温度稳定性及显色指数等能够拉开差异的

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127491.htm2011/6/27 19:08:40

GaN同质外延和竖直结构led

本文为北京大学物理学院北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授6月份在亚洲led照明高峰论坛上面的演讲讲义,现在经张国义教授的同意,发布于新世纪led网平台分享与大家,希望能够对大家

  https://www.alighting.cn/resource/20110627/127492.htm2011/6/27 16:26:36

效法摩尔定律:led晶圆制造开启大尺寸竞赛

继6寸晶圆产线陆续启动后,发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发,如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(GaN-on-silico

  https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02

浅析:led产生有色光的方法

led的发光顏色和发光效率与制作led的材料和工艺有关,目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于led工作电压低(仅1.5-3v),能主动发光且有一定亮度,亮度又能用电压(或电流)调节

  https://www.alighting.cn/resource/20110512/127633.htm2011/5/12 10:45:04

非极性和半极性面氮化物材料和器件生长

《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容:lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生

  https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

GaN的极性特征、测量及应用

GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方

  https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53

晶柱切片后的处理

硅晶柱长成后,整个晶圆的制作才到了一半,接下必须将晶柱做裁切与检测,裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理,最后才能成为一片片价值非凡的晶圆,以下将对晶柱的后处理制

  https://www.alighting.cn/resource/20110421/127709.htm2011/4/21 15:40:34

GaN基材的3种特性

GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

  https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54

宋建民:从钻石的散热及发光看超级led设计

从钻石的散热及发光看超级led的设计:台湾的钻石科技中心以类钻碳的镀膜取代印刷电路板上环氧树脂的绝缘2层,可使现行led 的照明产品(如路灯)的寿命大幅延长。随后又发展出钻石岛晶

  https://www.alighting.cn/resource/2011/3/29/15315_53.htm2011/3/29 15:31:05

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