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m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
底。因为硅材料的基底不受专利的限制。而且性能还优于蓝宝石。唯一的问题是GaN的膨胀系数和硅相差太大而容易发生龟裂，解决的方法是在中间加一层氮化铝(aln)作缓
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
GaN 基材料在光电器件中的应用，得到了越来越多人的关注。由于近来 GaN 基发光二极管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基发光二极管在很多领域都取得了应用，例如交通信号灯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
r lift-off）及金属黏合技术（metal bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
胶的选择 根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发射。以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
面下手，此层面的作法相当多，依据不同的化合材料也有不同，目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN，前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光，后者ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
洞在没有发光就被撷取了，在二者接合（再接合）时的能量，就会变成热释放出来，所以 GaN、inGaN从基本上来说，几乎不可能作为发光组件的材料。实际上，虽然缺点很多的GaN在室温条件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结GaN蓝光led，GaN基led得到了迅速的发展。GaN基led以其寿命长、耐冲击、抗
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
白色发光二极管 利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
