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为最大可能提高大功率led路灯发光板的电光转化率与散热效率,在不影响外量子效率前提下对led芯片设计采用扩大led芯片面积,以及电极优化技术增加led芯片的出光量,使芯片表面热
http://blog.alighting.cn/143698/archive/2012/7/23/283119.html2012/7/23 21:27:09
2)磷化镓(gap)——辐射绿色光谱(g)，波长约为570nm; (3)氮化铟镓(InGaN)——辐射蓝光光谱(b)，波长约为400nm
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282638.html2012/7/19 11:11:50
灯(chmsl)设备。 1990年，开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的alingap技术，这比当时标准的gaasp器件性能要高出10多倍。 1994年，日本科学家中村修二在inga
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282605.html2012/7/19 11:05:03
起的。 1. 内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使pn区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282564.html2012/7/19 10:58:17
ｓ》正在投票中，它将会替代ｃｉｅ １２７出版物。 ３ ｌｅｄ发光效率极限值 长期以来，半导体研究专家探索各种新技术以提高ｌｅｄ的内、外量子效率，２００６年已有小功率白光ｌｅ
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282499.html2012/7/19 10:32:53
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282421.html2012/7/19 10:23:15
州鸿利、宁波升谱、江西联创、天津天星、廊坊鑫谷、深圳瑞丰、深圳光量子、健隆光电科技有限公司等，均为国内主要封装企业。这些企业或者已打入高端显示屏、背光源、照明器件器件等门槛较高领
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282417.html2012/7/19 10:22:56
为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压，alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282416.html2012/7/19 10:22:52
素分子大小匹配性,已可获得高品质双异质结构半 导体或量子井结构的led,便能将不同种类的单晶元素逐层地建构起来。更进一步讨论,电光转换效率也就是内部结构量子化效率(interna
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282405.html2012/7/19 10:22:02
、介带中间附近）捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在靠
http://blog.alighting.cn/135603/archive/2012/7/17/282167.html2012/7/17 11:31:23
