站内搜索
研究了gan/algan异质结背照式p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能。gan/algan外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
本文介绍了国内led封装生产企业对自动测试与分拣设备的需求情况，分析了led自动测试与分拣设备的光机电一体化系统构架设计，光色电参数的高速高精度检测技术，设备可靠性研究与设备成
https://www.alighting.cn/2013/5/17 10:27:28
采用金属有机化学汽相沉积生长法(MOCVD),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10
https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08
自然现象产生的电子扰动或因某些设备引起的其它设备的非正常响应都可称为电磁干扰(emi electromagnetic interference ).而电磁兼容(em
https://www.alighting.cn/2013/5/14 10:07:08
制备了人工opal晶体模板,运用MOCVD方法在sio2人工opal球体间填充了高折射率的inp晶体,选择了MOCVD生长inp的有关参数.样品扫描电子显微镜及反射谱结果检测显
https://www.alighting.cn/resource/20130509/125625.htm2013/5/9 10:41:41
一份出自鸿利光电的关于介绍《led封装设备基础知识》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130508/125627.htm2013/5/8 17:54:31
利用低压金属有机化学汽相淀积(MOCVD)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
阐述了非接触供电技术的结构和原理,并把该技术引入led照明设备为其供电,并例举采用非接触供电技术的led标志牌和矿灯。
https://www.alighting.cn/2013/4/28 11:28:14
作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方面有
https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15
本案例为2013阿拉丁神灯奖工程类参评项目——国家体育场(鸟巢)立面照明工程。本项目对国家体育场(鸟巢)立面照明进行深化设计，其中深化的重点是在照明设备上、布局上。
https://www.alighting.cn/resource/2013/4/26/161539_13.htm2013/4/26 16:15:39
