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对于制作led芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和led器件的要求进行选择。
https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
通常的量子阱结构是由势垒层和势阱层构成。势垒层一般具有较高的lumo 能级以及较低的homo能级, 载流子经过势垒层后会被限制在势阱层中,从而使载流子在势阱层(即发光层) 中有效
https://www.alighting.cn/2015/1/20 10:28:54
本研究基于蓝宝石图形衬底(pss)制备gan基40mil功率型led芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了led器件的光电性能。制备的led外延片波长集中在6nm范
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127407.htm2011/7/21 17:45:16
构来做解释。制作半导体发光二极管的半导体材料是重掺杂的，热平衡状态下的n 区有很多迁移率很高的电子，p 区有较多的迁移率较低的空穴。在常态下及pn 结阻挡层的限制，二者不能发生自
https://www.alighting.cn/resource/2014/7/10/101123_26.htm2014/7/10 10:11:23
鉴于led标准管具有量值传递方便进而统一量值的优点,指出作为标准管不仅要保证赋值的准确性和其量值保持长期稳定性,选择led标准管要求其配光曲线要好,即接近朗伯发光体。介绍了配光曲
https://www.alighting.cn/resource/20130130/126087.htm2013/1/30 16:14:26
在863计划新材料领域“半导体照明工程”重大项目的支持下，近期山东大学晶体材料国家重点实验室徐现刚教授领导的研究小组承担的“SiC单晶衬底制备”课题（课题编号：2006aa03
https://www.alighting.cn/resource/20070520/128497.htm2007/5/20 0:00:00
摘要:研究了1w级大功率白光发光二极管(led)发光效率随功率变化的关系。实验结果表明,功率在0～0.11w的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11w时,发光效率为15
https://www.alighting.cn/resource/20091127/V1022.htm2009/11/27 14:08:15
在蓝宝石基片上,以ceo2为缓冲层制备了高质量的双面tl2ba2cacu2o8(tl-2212)超导薄膜。以金属铈靶作为溅射源生长了c轴取向的ceo2缓冲薄膜,并对ceo2薄膜进
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
