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用下硅氢加成硫化成型,获得折射率n2d51.5000,透光率大于90%(400 nm~800 nm,10 mm)的凝胶型发光二级管(led)封装材
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127153.htm2011/9/14 9:13:11
在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标.在上游衬底、外延、芯片方面，支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加快推
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/9/9/236113.html2011/9/9 11:30:23
近日，中国紫晶光电投资股份有限公司宣布，将投资29亿元人民币在乌鲁木齐建设led蓝宝石晶体生产项目。目前，该项目也是中科院科技援疆重点项目之一。
https://www.alighting.cn/news/20110909/114732.htm2011/9/9 11:10:11
采用磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上制备了氧化铟锡(ito)透明氧化物薄膜;研究了不同厚度薄膜的结构、光学和电学特性。经x射线衍射(xrd)测量,发现在蓝宝石衬底上生长的ito薄膜呈
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
在(0001)蓝宝石衬底上外延生长了ingan长周期多量子阱激光器结构.三轴晶x射线衍射测量显示该多量子阱结构质量优良.用该外延片制作了脊形波导gan激光器,激光器的腔面为ga
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
w光效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标. 在上游衬底、外延、芯片方面，支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加
http://blog.alighting.cn/daoke3000/archive/2011/9/8/236019.html2011/9/8 13:48:46
采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜111
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05
采用自组装的方法(提拉法)在普通玻璃盖玻片衬底上制备了聚苯乙烯微球层,对其进行简单的热处理可获得类似微透镜的结构。利用折射率匹配液将其耦合在常规oleds的出光面,研究了其对器
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
