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构的改进，红光的发光效率在不断的提高，不到十年已从10lm/w提高到30lm/w, 目前国际市场大量销售的结构是用si衬底取代gaas衬底带有金属反射器的结构,流明效率一般为20－3
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与
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ａ甚至１ａ级，这就需要改进封装结构，采用全新的ｌｅｄ封装设计理念和低热阻封装结构及技术、改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸
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从led工作原理可知，外延片材料是led的核心部分，事实上，led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延片材料。外延片技术与设备是 外延片制造技术的关键所在，金属有
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d晶片，反光碗，金属阳极，金属阴极构成，外包具有透光聚光能力的环氧树脂外壳。可用一个或多个(不同颜色的)单灯构成一个基本像素，由于亮度高，多用于户外显示屏。 ②led点阵模块 由若
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贴片led的基板材料与其他贴片一样，但考虑到散热，一般采用专用的高导热金属陶瓷(ltcc-m)基板。 高导热金属陶瓷(ltcc-m)复合基板例如：高功率led陶瓷基板，它
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作流程分为两大部分： 首先在衬低上制作氮化鎵（gan）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(mocvd)中完成的。准备好制作gan基外延片所需的材料源和各种高
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00
外，对聚合物范本的非接触式印刷(大约1mm 间隙)要求最佳的刮板速度和压力。金属模板的厚度一般为0.15~2.00mm，应该稍大于(+0.05mm)元件与pcb之间的间隙。 最
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种提供过电压电路保护的零配件。 变阻器 金属氧化物变阻器（mov）专为抑制汽车、电信和交流应用中的过电压而设计。mov是一种电压钳位元件，如电压超过阀值则其阻抗将变得非常
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由英国cdt ( cambridge display technology)和美国uniax公司拥有。表1是两类有机发光材料的比较。 有机小分子材料以金属鳌合物和稀土配合物为代
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