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LED芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

LED芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

LED芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

LED芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

LED芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

LED芯片的技术发展状况

度发光二极管的内量子效率比较低,但也在35~50%之间,半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

LED的跨界创新

关键词:LED照明设计   另一个困扰LED照明行业健康发展的问题是,LED照明的寿命是七八年,远长于节能灯的两三年。目前LED照明普及这么快,那么再过几年,替代完传统照明

  http://blog.alighting.cn/yakesi/archive/2014/6/13/352873.html2014/6/13 15:14:39

柏拉图式的创新?四款调色cob性能评测比拼

最近,csc与csp技术的争锋论断让LED照明市场重新泛起不小的涟漪,cob产品不同封装方案的前景再次被推到台前。针对商照、车灯等细分市场的挖掘,光源厂家在满足客户对光品质不断提

  https://www.alighting.cn/pingce/20170505/150524.htm2017/5/5 17:35:19

LED驱动电路专用长寿命电解电容器

 (4)长寿命(105℃/6000~10000h)、高可靠性。4 长寿命、耐高温、小型化是技术关键  铝电解电容的结构设计、制造工艺的先进性决定其使用的寿命。LED照明专用的铝电

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268568.html2012/3/16 17:42:23

2012年LED企业价格竞争形势探讨研究

本不利于产业的发展和市场的培育。我们认为,随着技术的不断提升,通过材料成本的控制及设计结构的改变才是降低成本的关键。当然,根据国际上芯片成本的降低幅度,我们也会调整产品的价格,但

  http://blog.alighting.cn/88307/archive/2012/9/26/290862.html2012/9/26 8:40:45

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