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功率型led封装技术的关键工艺分析

与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,led要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

交流发光二极管(acled)知识

国 iii-n technology,3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底,可以增进照明和传感器的应用,并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261561.html2012/1/8 21:50:48

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

灯和荧光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,led要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

功率型led封装技术的关键工艺分析

与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,led要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

年来被广泛用于制造短波长的光电器件,如发光二极管(leds)和激光二极管(lds)。目前有关gan材料生长报道和文献较多,有关芯片制造方面有少量报道还仅局限在gan的刻蚀和欧姆接

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

交流发光二极管(acled)知识

国 iii-n technology,3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底,可以增进照明和传感器的应用,并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

灯和荧光灯等通用性光源相比,距离甚远。因此,led要在照明领域发展,关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型led所用的外延材料采用mocvd的外延生长技术和多量

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

飞利浦欧司朗等五led巨头联手筑led专利壁垒

朗goldendragonplus,与传统植物照明相较之下,达到近40%的节能效果,并可减少化学生长剂的使用,花苞数也明显提

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263601.html2012/2/4 14:56:31

[原创]led散热(三)

瓷印制电路。先在铝的表面用微弧氧化生长一层100μm厚的氧化铝薄膜,再用溅射或丝网印刷制作电路层。采用这种方法的最大优点是结合力强,而且导热系数高达2.1w/m.k,而且氧化层的热膨

  http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267446.html2012/3/10 10:15:21

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