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列明了各种浇铸光学耦合器的制造方法，介绍了独特的材料、工艺和限制。 双浇铸工艺(图1) 在单通道光学耦合器的双浇铸工艺中，led和 ic通过模具连接到两个不同的引线框和焊
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134098.html2011/2/20 22:20:00
v641620是hynix公司生产的4 banks×1m×16位的sdram芯片,单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位（8 mb），支持自动刷新，16位数据宽度。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134099.html2011/2/20 22:20:00
光杀手中心」，最后导致发光效率降低等问题。 以gan为基础的ingan/gan量子井qw型led，含量109~1010/cm2 左右高密度格子缺陷，按照传统理论，如此高密度格
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
统led的输出功率一般都限定在50毫瓦以内，而高亮度led可达1-5瓦。 图1显示了hi-led内部电压与电流的典型关系。在正向电压 (vf)超出内部门槛电压前，hi-led上几
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134097.html2011/2/20 22:19:00
度限值。表1罗列了针对一个高电流白光led的典型正向电压与驱动电流的相互关系。 在单个led至三个（串联）led的应用中，将需要一个降压型led驱动器（比如：凌力尔特的lt347
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134094.html2011/2/20 22:17:00
1 引言 led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，发光响应时间极短，光色纯，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134095.html2011/2/20 22:17:00
却方式下太阳电池工作温度随光强的变化规律。 1数学物理模型的建立 1．1太阳电池的电学特性方程 如果在太阳电池两端接上一个负载电阻ri，那么太阳电池在工作状态下的等效电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134092.html2011/2/20 22:15:00
片sram存储器(1024列×8×16 行为1个存储器单元)8×1位数据口,所有存储器的地址和控制信号由一片控制芯片(isplsi1032e)产生。它们在显示系统中的关系如图1所
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我们在研制一个阵列信号处理系统中，由于阵列天线必须放置于四周开阔地带，而阵列信号处理单元位于圆形陈列天线中央位置，这就需要在阵列信号处理单元与位于1～2km以外的微机之间进行双
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为克服以上缺陷，本文提出了在p1口的部分口线上实现2x8阵列的中断方式键盘输入和脱机硬件动态显示的新方法。 2 原 理 2．1 硬件设计 硬件原理电路如图1所示。在803
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