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https://www.alighting.cn/news/20250926/177851.htm2025/9/26 19:29:33
https://www.alighting.cn/news/20251201/178163.htm2025/12/1 13:29:22
https://www.alighting.cn/news/20251215/178255.htm2025/12/15 16:38:01
https://www.alighting.cn/news/20260427/178848.htm2026/4/27 19:29:15
https://mp.weixin.qq.com/s/66Dm5acn09VSJfvSXzYouA2026/4/28 10:15:12
0,1060℃的sicge薄膜的室温光致发光峰分别位于2.13,2.18,2.31EV处;通过组分分析和带隙计算,认定该发光峰来自于带间辐射复合,证实了改变生长温度对sicge薄膜带隙的调
https://www.alighting.cn/2013/5/10 11:36:06
谱证实了该zno薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354EV与中性受主束缚激子相关的发射峰
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
为了对gan/aln异质结电子结构有更为深入的认识,采用超原胞模型,对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算.结果发现gan/aln为突变同型异质结,价带顶带阶为0.62EV,
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127132.htm2011/9/16 14:59:00
光)是一si制单位。发光强度是一光源所发出的可见光之光通量的大小。亮度(luminance)lv坎德拉每平方米cd/m2单位有时被称作"nits"。照度(illuminance)EV勒克
http://blog.alighting.cn/cqlq123/archive/2011/4/22/166613.html2011/4/22 9:28:00
属作阴极的 oled器件的el响应更快[3]。目前,在oled器件中获得应用的单层金属阴极有mg(3.7 EV),li (2.9 EV),ca(2.9 EV),sr(2.4 e
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00