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led半导体照明芯片封装功率led照明灯具蓝宝石衬底太阳能led灯具荧光灯 根据国内半导体照明 产业发展的状况,目前国内的投资机会主要来自于以下几个方面：对技
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21633.html2009/12/15 16:48:00
http://blog.alighting.cn/shijizhilv/archive/2009/12/15/21634.html2009/12/15 16:48:00
硅和蓝宝石，碳化硅正常构造设想为单栅极，其导电成效比拟好，蓝宝石正常设想为双栅极，热能较难导入，导电成效较差；第二是晶片的分寸大小，正在晶片材料相反时，分寸大小没有同衰减差异也没有
http://blog.alighting.cn/leddeng336/archive/2010/2/24/29473.html2010/2/24 14:26:00
以sic为衬底的ingan抗esd能力(人体模式)可达1 100v以上。而一般以蓝宝石a1203为衬底的ingan抗esd仅能达到400v～500v(不同厂牌产品之综合结果)。如此
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134163.html2011/2/20 23:13:00
、 晶片对白光led光衰的影响 从目前实验的结果来看，晶片对光衰的影响分为两大类：第一是晶片的材质不同导致衰减不同，目前常用的蓝光晶片衬底材质为碳化硅和蓝宝石，碳化硅一般结
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222032.html2011/6/19 22:47:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
备是ap—mocvd,反应器为卧式,并经过特殊设计改装。用国产的高纯tmga及nh3作为源程序材料,用dezn作为p型掺杂源,用(0001)蓝宝石与(111)硅作为衬底采用高频感
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
浆，从而可获得较为理想的散热效果(锡的热阻约为1 6 ℃·w-1)。2 esd静电保护我们实测发现，以sic为衬底的ingan抗esd能力(人体模式)可达1 100v以上。而一般以蓝宝
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00
投人300多万美元用于开发gan基蓝光leds，并很快结出硕果。1991年nichia公司nakamura等人首先以蓝宝石为衬底，研制成掺mg的gan同质结蓝光leds,1993年将蓝
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
