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q 和剑桥大学组成团队基于6英寸硅衬底开发GaN发射器，来实现低成本芯片的制
https://www.alighting.cn/news/20070608/103134.htm2007/6/8 0:00:00
p全部的led产品，其中包括350nm及360nm紫外GaN le
https://www.alighting.cn/news/20070606/120127.htm2007/6/6 0:00:00
美国led大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(GaN)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
2007年5月24日，台湾光鋐科技（epileds）订下两台thomas swan（aixtron子公司）ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮（hb）ga
https://www.alighting.cn/news/2007528/V5187.htm2007/5/28 15:56:52
GaN、aln、inn及其合金等材，是作为新材料的GaN系材料。对衬底材料进行评价要就衬底材料综合考虑其因素，寻找到更加合适的衬底是发展GaN基技术的重要目标。评价衬底材料要综
https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07
本文主要介绍了影响中国照明行业的人物，如：徐学基、诸定昌、马剑等。
https://www.alighting.cn/news/2007525/V7264.htm2007/5/25 11:52:04
2007年5月24日，台湾光鋐科技(epileds)订下两台thomas swan(aixtron子公司)ccs crius 30x2英寸mocvd订单，用于量产高亮(hb)ga
https://www.alighting.cn/news/20070525/119895.htm2007/5/25 0:00:00
采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn，利用脉冲激光辐照样品，使得zn掺入GaN中，得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试，得
https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31
