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致串联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
联电阻增大，还有si吸收可见光会降低led的外量子效率。因此，针对上述问题，深入研究和采用了发光层位错密度控制技术、化学剥离衬底转移技术、高可靠性高反光特性的p型gan欧姆电极制备技
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
外乎是单层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
出的光只有入射角≤25.8度这个空间立体角内的光，据报导，目前gan芯片的外量子效率在30％－40％左右，因此，由于芯片晶体的内部吸收，能射出到晶体外面光线的比例很少。据报导，目
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
级lif/al/lif/ al 量子阱[4]阴极结合起来，以及对其它结构如alq3/al，alq3/lif/al和 alq3/al/lif/al等，人们也有相当多的研究。众所周知，基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134138.html2011/2/20 23:04:00
起的。 1. 内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使pn区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139179.html2011/3/7 15:40:00
除gaas衬底,代之于全透明的gap晶体。由于芯片内除去了衬底吸收区,使量子效率从4%提升到了25-30%。为进一步减小电极区的吸收,有人将这种透明衬底型的ingaalp器件制作
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
小。 （2）温度升高，势阱中电子与空穴的辐射复合几率降低，造成非辐射复合（产生热量），从而降低led的内量子效率。 （3）温度升高导致芯片的蓝光波峰向长波方向偏移，使芯
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新台阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中,掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱,通过不同量子阱发出的多种光
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
层的ｉｎｇａｎ／ｇａｎ量子井ｓｉｎｇｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ或是多层的量子井ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ，而尽管制造ｌｅｄ的技术一直在进步但其发光层
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
