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2011年9月6日，第十三届中国国际光电博览会(cioe)于深圳会展中心隆重举行。展会期间，奥伦德led外延片、照明芯片，显示屏芯片，红外芯片得到了观展客户和参展同行的广泛关注。
https://www.alighting.cn/news/20110919/114594.htm2011/9/19 11:54:19
从2009年开始，中国led外延和芯片新建项目的数量增长迅速，然而同时，从2009年至今，有超过10个led外延和芯片项目由于各种原因，在宣称或破土动工之后被停止，这也就是为什
https://www.alighting.cn/news/20110919/100024.htm2011/9/19 10:50:46
日前，该产业园吸引了6家企业进驻，分布在上游外延片、蓝宝石衬底，中游芯片以及下游封装、应用及配套材料等各个环节，产业链已具雏形。而海盐led企业在上游环节尤其具备竞争优势。
https://www.alighting.cn/news/20110919/100068.htm2011/9/19 10:41:03
随着利好政策的推动，国内led产业井喷式发展也暴露除出诸多问题。业内人士表示，核心技术缺乏、资金流动性差以及行业标准缺失等问题严重制约了led产业的发展。led照明企业莱依迪光电科
https://www.alighting.cn/news/20110919/89949.htm2011/9/19 10:32:06
华新丽华西安led项目总投资2.5亿美元，这是全球第一座完全4吋led外延片与芯片量产的大型工厂，投产后将形成月产6万片大功率led芯片的产业规模，年产值预计超过1亿美元。
https://www.alighting.cn/news/20110919/114597.htm2011/9/19 9:48:43
料特性进行了表征,分析研究了生长温度、ⅴ/ⅲ比、过渡层等对外延层的影响.并且获得了与gasb衬底晶格失配度较低的表面光亮的晶体质量较好的inassb外延层
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:46:39
衬底和外延芯片仍是投资的重点和热
https://www.alighting.cn/news/2011919/n915134533.htm2011/9/19 9:40:06
利用透射光谱矩阵光学原理,对三种GaN或alGaN外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06
通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
