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为1，即置行移位寄存器的D为高电平，str使能（所有4094的oe 引脚接＋5v电平），从而使列移位寄存器中的数据同时并行输出以选通该行。经延时一段时间后再进行下一行点阵数据的显
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274771.html2012/5/16 21:30:53
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274767.html2012/5/16 21:30:40
源电压以及在每个leD中产生所需的“接通电流”(根据需要可以有所不同)进行设计。设计参数为：v1=D1的关断电压(D1无可见光时的最坏情况最大电压)v2=D2的关断电压(D2无可见光
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274762.html2012/5/16 21:30:26
c595的控制信号和4组串行移位寄存器的输入以及行扫描控制信号a，b，c，D构成整个leD单元板的输入。74hc595的控制信号经驱动后和4组串行移位寄存器的输出以及行经过驱动的扫
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274755.html2012/5/16 21:29:59
寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~600n
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274743.html2012/5/16 21:29:24
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274742.html2012/5/16 21:29:22
素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(λ)的白光透光率(τ)为：λ=400~60
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274731.html2012/5/16 21:28:51
板显示器的封装结构设计与工艺制造。该显示器像素尺寸为0．35×0．28(mm),像素密度达10．21个/mm2。要求封装的成品电路具有气密性,且leD阵列(显示屏)部位对不同波长(
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274727.html2012/5/16 21:28:31
别是严格地调灯丝位置,ｌｅｄ发光部位及接受面位置。先用光强标准灯校准硅光电二极管,ｃ＝e/s式中ｅｓ＝is/(D 2 s)ｄｓ是标准灯与接受器之间的距离,ｉｓ是标准灯的光强度,ｒ
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274716.html2012/5/16 21:27:50
径为5毫米的白光leD为20～28lm／w，寿命可大于100000小时。有人还预测，未来的leD寿命上限将无穷大。 大功率，指发光工率大，一般指0.5w，1w 3w 5w或更
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274708.html2012/5/16 21:27:28
