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GaN薄膜的溶胶-凝胶法制备及其表征

采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出GaN薄膜.x射线衍射(xr

  https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10

led室外照明灯具设计注意事项

择。笔者的看法是:采用多芯片与散热器整体封装比较好,或采用铝基板多芯片封装再通过相变材料或散热硅脂与散热器相联接,做出的产品热阻比用led器件组装的产品的热阻要少一至二道热阻,更利

  http://blog.alighting.cn/guangxi/archive/2011/9/17/236631.html2011/9/17 14:15:26

我国led行业1-7月份投资概况

根据公开资料统计,仅2011年1月至7月,我国led行业计划新增投资总额1256.18亿元,其中超过40%的资金是在多个产业环节投资,甚至是进行全产业链投资;上游的衬底和外延

  https://www.alighting.cn/news/20110916/90159.htm2011/9/16 17:30:31

GaN led外延片微结构分析及性能研究

本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

GaN led量子阱光发射模型

在分析GaN led量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制stark效应和franz-keldysh效应,提出了一种基于inGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

led灯具出口陷低端困境 均价不及美日一半

要仍分布在封装、应用等中下游环节,上游的衬底、外延片、芯片很少涉足。而后者约占行业利润的70%,前者则只占到30%。泉州市led产业技术创新战略联盟理事长黄水桥指出,目前泉州有两

  http://blog.alighting.cn/110131/archive/2011/9/16/236553.html2011/9/16 10:24:32

2011年GaN led市场仅增长1% 至87亿美金,企业利润不容乐观

经过2010年60% 的高速增长,ims research认为2011年的GaN led市场趋于平缓,仅增长1% 至87亿美金。主要原因有:占据 60% GaN led营收的背

  https://www.alighting.cn/news/20110915/90303.htm2011/9/15 10:59:49

日本轻金属10月量产的led基板材料年产能将扩大3倍

为led基板材料的“高纯度氧化铝”年产能将可扩增至1,000吨,将达现行300吨的3倍以

  https://www.alighting.cn/news/20110915/100169.htm2011/9/15 10:21:37

三菱化学将量产白色led用GaN基板

三菱化学(mitsubishi chemical)计划藉由采用所谓的“液相法”的制造手法量产使用于照明用白色led的氮化镓(GaN)基板

  https://www.alighting.cn/news/2011915/n658734484.htm2011/9/15 10:16:19

aln缓冲层对alGaN表面形貌的影响

对后续外延层的结晶质量具有重要的影响,这也解释了alGaN表面形貌的形

  https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48

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