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0nm *传输距离：多模0-5km;单模：0-120km *1个10/100m自适应rj45（mdi/mdix自动协商） 采用gigac自产的光模块，光模块全部采用日本器件质
http://blog.alighting.cn/gigac006/archive/2009/11/12/19190.html2009/11/12 15:43:00
d出光效率、器件寿命、可靠性、发射波长等。保持led结温在允许的范围内，是大功率led芯片制备、器件封装和器件应用等每个环节都必须重点研究的关键因素，尤其是led器件封装和器件应
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2010/12/2/117791.html2010/12/2 17:40:00
对于有机电致发光器件，我们可按发光材料将其分为两种:小分子oled和高分子oled（也可称为pled）。它们的差异主要表现在器件的制备工艺不同:小分子器件主要采用真空热蒸发工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
用成本。 二、芯片集成cob光源模块个性化封装可能成为半导体照明未来主流封装形式 led有分立和集成两种封装形式。led分立器件属于传统封装，广泛应用于各个相关的领域，经
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126996.html2011/1/12 0:45:00
高，这种技术正开始被led背光所取代。led可以沿着lcd边缘或在lcd的背面呈点阵排列。led器件可串联或并联排列，这两种结构将可以提供均匀的lcd照明。led串可利用每个串中的串
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133820.html2011/2/19 23:14:00
池而不需要保护器件，保护器件一般用来抵御电池负载变化带来的浪涌电压。该器件能够为led提供恒定电流，电流值可以通过与led串联的检流电阻rsense设置。为了提高电流设置精度，提
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134185.html2011/2/20 23:26:00
新包括高传导率金属块基底、倒装芯片设计和裸盘浇铸式引线框等，采用这些方法都能设计出高功率、低热阻的器件，而且这些器件的照度比传统led产品的照度更大。 目前一个典型的高光通
http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165435.html2011/4/14 22:01:00
板的快扩杂质也会引入发光区，形成大量的深能级，同样会加速led器件的光衰。 （2）高温时透明环氧树脂会变性、发黄，影响其透光性能，工作温度越高这种过程将进行得越快，这是led光
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
led是利用化合物材料制成pn结的光电器件。它具备pn结结型器件的电学特性：i-v特性、c-v特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。本文将为你详
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229836.html2011/7/17 22:29:00
一、前言gan材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,并与sic、金刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代ge、si半导
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
