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硅衬底led芯片主要制造工艺

" width=360   从结构图中看出,si衬底芯片为倒装薄膜结构,从下至上依次为背面au电极、si基板、粘接金属金属反射镜(p欧姆电极)、gan外延层、粗化表面和au电极。这

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

led在温室补光中的应用

段,各种人工光源也得到了快速发展。   1、温室补光常用光源及其特征   目前,常用的温室人工补光光源主要有荧光灯、高压钠灯、低压钠灯、金属卤化物灯等。近年来,随着大功率le

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120855.html2010/12/14 21:42:00

[原创]四段式、两段式触摸室内调光控制ic-tt8486

z交流信号。电路采用cmos工艺制造,外围元件少,使用简单方便。按应用电路图所接,触摸指定的金属部位可改变灯光明暗程度,亮度变化顺序如下:off night (柔光) medium(

  http://blog.alighting.cn/szxcddz/archive/2010/12/14/120797.html2010/12/14 16:57:00

[原创]tch110a是触摸式四段调光控制ic

tch110a是触摸式四段调光控制ic。由我公司根据市场要求最新开发,电路采用最先进工艺制造,外围元件少,使用简单方便。按应用电路图所接,触摸指定的金属部位可改变灯光明暗程度,亮

  http://blog.alighting.cn/szxcddz/archive/2010/12/14/120799.html2010/12/14 16:57:00

[原创]专访:从2010广州亚运会看舞台灯光发展

色指数要求,关键是灯具所选用的光源〔如卤钨光源、三基色光源〕。但于现场效果需要图案及色彩变化就要用大量的电脑灯及其他效果灯,这些效果灯具多采用金属卤化物光源〔其色温约为5000°k

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2010/12/14/120729.html2010/12/14 11:51:00

led外延片生长基本原理

出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。 有机金属化学气相沉积方法(mocvd ) 金属有机物化学气相淀

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00

科学家利用新的制造技术得到纳米紫外led

是单个制造技术,非常不适于推广到商业化生产。” 因此nist小组使用了批量生产技术,例如湿蚀刻、金属沉积等。并且小组利用了电场来排列纳米线,以消除逐个分离它们的这一精密又耗时的任

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00

科学选用led光源和灯具

子元件,回收再生塑料、再生金属材料生产led灯饰,这些劣质led灯饰价格比正常的led灯饰价格便宜50%以上。 led灯饰市场还存在部分非法之徒,欺骗供应商,骗取供应商材料生产成品,

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00

荧光粉提升pdp和led技术

试的难题,掌握了制备高效pdp用荧光粉的全套工程化技术,在北京有色金属研究总院建成国内第一条pdp荧光粉的中试线,为我国pdp荧光粉的产业化打下了良好的基础。  日本1999年pd

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00

国外环氧树脂电子封装材料的技术开发方向

性,还必须具有低吸水率。如果所用环氧树脂封装材料的耐湿性不好,则封装件金属配线易被腐蚀钝化;另一方面,如果封装件处在高温高湿环境中,则水分易从封装材料和引出线框界面或孔隙处浸入,使配线结

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00

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