站内搜索
GaN（氮化镓）作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
据报导，为了让照明用led进一步普及，三菱化学评估GaN基板的适当价格应压低至现行的1/10，达每平方公分1,000日圆的水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115503.htm2011/9/14 9:51:05
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上GaN基外延晶格质量及提高GaN基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
通过正交试验分析了阳极氧化法制备led封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127154.htm2011/9/14 9:03:57
科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有适宜的电学特性。当其浸入水中并暴露于阳
https://www.alighting.cn/news/20110913/100147.htm2011/9/13 10:42:07
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
效的大功率白光led芯片的研发及产业化工作也正在加快推进。 福建led照明发展目标.在上游衬底、外延、芯片方面，支持led外延、芯片龙头企业追赶国际先进水平、扩大生产规模。加快推
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/9/9/236113.html2011/9/9 11:30:23
从产业链的利润分布看，上游外延、芯片集中了60%—70%的利润，而led封装和led照明应用却分别只占有10%—20%的利润空间。那为什么不少泉州光电企业仍愿意从事利润较低的le
https://www.alighting.cn/news/20110909/100460.htm2011/9/9 9:39:57
在传统的二步mocvd外延生长的基础上 ,报道了一种在低压mocvd中用三步外延生长GaN材料的新方法 ,它在生长低温缓冲层前 ,用原子层的方法生长一层高质量的aln层来减少al
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
采用x射线多功能四圆衍射仪测绘出GaN/gaas(0 0 1 )外延层中六角相的{0 0 0 2 }和 {1 0 1 0 }极图 ,结果表明外延层中六角相与立方相之间的取向关系
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127171.htm2011/9/9 9:03:08
