站内搜索
0万千瓦,2020年达到1亿千瓦。市场预测2020年风电的装机容量规划将提高到1.5亿千瓦,核电装机容量规划提高到8000万千瓦,分别占总装机容量的9.4%和5%。 未来我
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248617.html2011/10/25 17:23:39
★ 荧光粉 按客户要求，选择专利荧光粉即可提供授权文件 ★ 专利支架 专利号：200920133855.6 产品特点： 专利设计，尺寸：3.6*2.9*1.5mm 高光
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248616.html2011/10/25 17:23:35
国进出口增速将恢复正增长,进出口总额约为23146亿美元,增长8.2%,其中,出口将增长6%左右,进口增长11%左右,有望实现外贸顺差1840亿美元左右,同比下降15.5%； 200
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248615.html2011/10/25 17:23:32
、lumileds交叉授权 在日本有93项外观专利和58项设计专利，在美国有30项专利，中国有32项专利，香港有2项专利。 lumileds：与日亚交叉授权 欧司朗：与日亚交叉授
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248614.html2011/10/25 17:23:29
最新版本dialux4.9.0.2软件下载，完整版本，更新了所有语言版本，包含所需软件，可下载使用。
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/25/162517_72.htm2011/10/25 16:25:17
阐述了大功率半导体激光器恒流源的设计方法.该恒流源采用功率mosfet作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.应用结果表明该恒流源对激光器安全可靠,输出电流的短期稳定度达到
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126962.htm2011/10/25 15:12:30
利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射Ga_2o_3薄膜,然后zno/Ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成Gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
膜应力变化。研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的Gan薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的Gan薄膜张应力最小。(2)随着铬基板中铬主体层厚度的增
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
符合国家标准的灯具一般安全要求与试验，由中华人民共和国和国家质量监督检验检疫总局发布，其技术内容全部为强制性，有必要阅读以扫盲。
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/25/133932_60.htm2011/10/25 13:39:32
