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led背光源制作工艺简介

极备上胶后进行扩张,将扩张后的芯片(大圆片)安置在刺晶胚上,在显微镜下用刺晶笔将管芯一个一个安装在pcb或led支架相应的焊盘上,随后进行烧结使胶固化。c、压焊:用铝丝或金丝焊

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229973.html2011/7/17 23:42:00

大功率led封装产业化的研究

压成型5、固晶工艺:胶烘烤→金属共晶6、生产及检测设备:手工操作→半自动操作→全自动操作目前全自动固晶、焊线的设备相对成熟,荧光粉涂布、柔性光学硅胶灌封、软性光学硅胶模压成型、检

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229963.html2011/7/17 23:38:00

led封装对光通量的强化原理

面的gaas使p-n接面散发出的光有一半被遮挡吸收,造成光能的浪费,因此改用透明的gap材料来做基板。又如日本日化学工业(nichia)在gan的led中,将p型电极(p type)部

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led生产工艺简介

一、生产工艺1.工艺:a)清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。 b)装架:在led管芯(大圆片)底部电极备上胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺晶台

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00

外延生长技术概述

镓的mocvd设备。目前生产氮化镓中最大mocvd设备一次生长24片(aixtron公司产品)。国际上对氮化镓研究得最成功的单位是日本日公司和丰田合成,恰恰这些公司不出售氮化镓生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

发光二极管封装结构及技术

热性能好的胶,增大金属支架的表面积,焊料凸点的硅载体直接装在热沉上等方法。此外,在应用设计中,pcb线路板等的热设计、导热性能 也十分重要。进入21世纪后,led的高效化、超高亮

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

gan外延片的主要生长方法

际上对氮化镓研究得最成功的单位是日本日公司和丰田合成,恰恰这些公司不出售氮化镓生产的 mocvd设备。日本酸素公司生产的氮化镓-mocvd设备性能优良,但该公司的设备只在日本出

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led的封装技术

、100ma甚至1a级,需要改进封装结构,全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术,改善热特性。例如,采用大面积芯片倒装结构,选用导热性能好的胶,增大金属支架的表面积,焊

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00

日本教授口绀意外发现led灯对神经细胞有影响

日本来台在中央大学化工材料系任教的教授口绀意外发现,利用led(发光二极管)照射神经细胞,可促进神经细胞的生长与串联方向,未来半年到一年可望进行动物实验,希望突破脊髓损伤治

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解析led光谱技术,挑战超高亮度led产品

一方面,在下一代照明设备与区域网路光通讯应用慢慢成形之际,led势必将会散发出更?橐?眼光芒与前景;这是因?樵谟胍话惴⑷任偎康婆莼蛘呤撬? 日光灯相较之下,led光源具有较高发

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