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性的标准，其中的光源包括了led，但是不包括激光，该标准根据光辐射危害的程度将连续辐射灯分为豁免类、1类危害（低危害）、2类危害（中危害）和3类危害（高危害）等四大类。 对于灯
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222042.html2011/6/19 22:51:00
东科技：劲拓电子设备：凝联特电子设备：科隆威电子设备）近十几年来，为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管led及激
http://blog.alighting.cn/sz_nltsmt5188/archive/2011/6/24/226838.html2011/6/24 8:33:00
化，此外，公司正大力开发对于信息媒介的发展不可或缺的紫蓝色激光半导体，希望将来氮化物半导体能成为半导体产业中重要领域的一部分。上述技术的开发与应用，扩大了led应用范围。与此同时，日
http://blog.alighting.cn/aizaiyuji/archive/2011/7/13/229571.html2011/7/13 10:41:00
司：专业办理沙特saso认证，尼日利亚soncap认证，肯尼亚pvoc认证，科威特kucas认证，欧洲ce认证，欧洲能效eup指令，欧洲rohs认证，美国fcc认证，激光产品fd
http://blog.alighting.cn/lca_cjh/archive/2011/7/15/229704.html2011/7/15 9:34:00
止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家：德
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(p极,n极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成led晶片(方片)。然后还要进
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
期才逐渐成熟和完善起来。esaki 60年代提出超晶格的设想也直到80年代才得到大量应用。量子阱激光器就是最好的例证。mocvd制造技术在80年代末90年代初得到突飞猛进的发展,随
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00
光二极管,1998年实现了室温下连续激射10,000小时,取得了划时代的进展。到目前为止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
品可用于下列的照明、装饰、景观等灯具的电路保护：各种led日光灯、球泡灯、杯灯、吸顶灯、路桥灯、交通灯、隧道灯、护栏灯、空中探照灯、激光灯、投光灯、庭院灯、地埋、水底灯、墙角灯、地脚
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230083.html2011/7/18 23:24:00
阻、壳体温度、结温等参数表示。辐射安全。目前,国际电工委员会iec将led产品等同于半导体激光器的要求进行辐射的安全测试和论证。因led是窄光束、高亮度的发光器件,考虑到其辐射可
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230097.html2011/7/18 23:44:00
