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0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
与尺寸大小关系不大，但与电极的位置有关，ｐ焊线电极远离ｎ电极的芯片２０ｍａ下的光输出功率高，正向压降也高。 关键词:ｇａｎ基led;ｉ－ｖ特性;ｐ－ｉ特性; ｇａｎ基半导体材料近
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35
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