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果长时期工作在高结温的状态，它的寿命就会很快缩短。然而这些热量要能够真正引导出芯片到达外部空气，要经过很多途径。具体来说，led芯片所产生的热，从它的金属散热块出来，先经过焊料到铝基
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/9/22/290631.html2012/9/22 11:38:00
led照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商bridgelux 公司，以及全球领导半导体制造商toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的8吋氮化镓上矽(GaN o
https://www.alighting.cn/pingce/20120601/122490.htm2012/6/1 10:04:57
晶元光电氮化镓(GaN)布局再下一城。继年初取得德国allos semiconductors矽基氮化镓(GaN-on-si)的技术授权后，晶元光电即将于近期投产GaN-on-s
https://www.alighting.cn/pingce/20151214/135203.htm2015/12/14 9:26:23
本文根据目前半导体照明的最新研究进展，介绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势，从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发，指出了白光led在日常照明普及过程
https://www.alighting.cn/resource/200961/v19863.htm2009/6/1 9:33:11
GaN(氮化镓)系蓝紫色发光组件可应用于新世代dvd，因此备受相关业者高度期待，此外利用led高辉度、省能源的发光特性，蓝紫色发光组件未来还可取代传统的白炙灯、荧光灯，成为白光
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12782.htm2007/9/12 14:13:45
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（sic）与氮化镓（GaN）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
欧盟近期资助的一个研究项目，代号为newled，投资1500万美元，将探讨新的方式来建立不需要荧光粉的白光led，目标是发展高效率、高亮度单片或混合半导体白光GaN基led。
https://www.alighting.cn/news/201334/n495549364.htm2013/3/4 15:03:15
提高led芯片的出光效率是解决led光源大功率化和可靠性的根本。根据led芯片所用衬底材料的不同,总结了近年来提高GaN基led出光效率的研究进展,介绍了新的设计思路、工艺结构
https://www.alighting.cn/2014/10/24 11:41:38
比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划,目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-si)，并开发高效率、大功率白光led，致力于推动氮化
https://www.alighting.cn/news/2009721/V20310.htm2009/7/21 11:27:11
