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moo_3作空穴注入层的有机电致发光器件(英文)

研究了三氧化钼(moo3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127047.htm2011/9/30 11:19:54

白光led的奈米结构控制技术

氮化的格子缺陷很多却能够产生高辉度,主要原因是藉由奈米 技术控制组件结构,使得组件的发光效率得以提高,进而获得高辉度。因此本文要深入探讨氮化发光的奥秘,与提高发光效率的方法。

  https://www.alighting.cn/resource/20060217/128920.htm2006/2/17 0:00:00

大功率led的封装及其散热基板研究

从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(mcpcb)的性能,并简要分析了其散热原理。最后介绍了等离子微弧氧化(mao)工艺制

  https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06

未来5年氮化衬底引领led衬底发展潮流

料的氮化

  https://www.alighting.cn/news/2012513/n223539678.htm2012/5/13 21:13:55

晶能光电孙钱:硅基氮化大功率led的研发及产业化

在“2013新世纪led高峰论坛”技术峰会iii“外延芯片技术及设备材料最新趋势”专题分会上,晶能光电(江西)有限公司硅基led研发副总裁孙钱博士就“硅基氮化大功率led的研发

  https://www.alighting.cn/news/20130610/88293.htm2013/6/10 14:48:59

英plessey公司获剑桥大学矽基氮化led的知识产权

plessey在英国plymouth拥有一家6英寸晶圆厂,并在近期收购了剑桥大学的一家衍生公司camgan。通过这项交易,plessey获得了camgan公司与矽基氮化

  https://www.alighting.cn/news/20120209/99826.htm2012/2/9 11:23:28

日本sdk公司扩基于氮化蓝光led芯片产量

showadenkok.k公司宣布将会在日本千叶的工厂投资接近4100万美元来扩大基于氮化蓝光led的生产力达到2亿个单位每月。蓝光led芯片的产量也将会在今年底从3000万

  https://www.alighting.cn/news/20070723/116626.htm2007/7/23 0:00:00

国内新型荧光粉 打破日德白光led专利壁垒

北京宇极最近成功开发出了新型氮氧化物黄 色荧光粉,并成功获得了国家专利。该专利打破了中国缺乏新型、高端白光led用荧光粉核心技术的现状,成功消除了中国led产业发展的瓶颈,因为中

  https://www.alighting.cn/pingce/20101022/123230.htm2010/10/22 9:30:24

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器”通过验收

中国科学院知识创新工程重要方向项目“氮化基激光器 (kgcx2-sw-115)”于2007年11月26日通过专家验收。

  https://www.alighting.cn/news/20080102/102620.htm2008/1/2 0:00:00

普瑞与东芝研发8英寸硅基氮化led芯片实现突破

议短短几个月后,两家公司共同研发出了行业顶级8英寸硅基氮化led芯

  https://www.alighting.cn/pingce/20120521/122494.htm2012/5/21 15:07:16

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