氮化镓基半导体照明ｌｅｄ及其应用产业化

文章分析了照明用半导体ｌｅｄ的外延、芯片及封装等相关技术，介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索，提出了一些具体的解决方案，并对ｌｅｄ的产业化生产进行了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29

氮化镓基半导体照明ｌｅｄ及其应用产业化

文章分析了照明用半导体ｌｅｄ的外延、芯片及封装等相关技术，介绍了在光谱特性、散热性能、出光技术等方面的探索，提出了一些具体的解决方案，并对ｌｅｄ的产业化生产进行了讨论。

  https://www.alighting.cn/news/200728/V12305.htm2007/2/8 10:33:29

比利时推出致力于推动氮化镓技术发展的一项联合开发计划

  https://www.alighting.cn/news/20090720/104660.htm2009/7/20 0:00:00

全球首个硅基氮化镓单片集成fhd micro led显示器问世

5月14日，plessey宣布与硅基背板合作伙伴jasper display corp(jdc)在研发单片集成micro led显示器过程中迈出了重要一步。

  https://www.alighting.cn/news/20190517/161929.htm2019/5/17 10:38:50

国星光电：国星半导体已申请200多篇氮化镓专利

近日，国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示，硅基algan垂直结构近紫外大功率led外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色micro-led显示与超高亮

  https://www.alighting.cn/news/20200226/166729.htm2020/2/26 10:53:56

用氧化镓制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色[1]

与sic和gan相比，β-ga2o3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-ga2o3晶体管。下面

  https://www.alighting.cn/2012/4/19 18:06:25

[外延芯片]movcd生长氮化物外延层的方法

一种用movcd生长氮化物外延层和氮化物发光二极管结构外延片的方法，它采用mocvd技术

  https://www.alighting.cn/news/2009111/V21470.htm2009/11/1 12:55:15

富士康新技术提高led的量子效率

电子制造商富士康(foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来，让氮化铟镓(ingan)与砷化铝镓(algaas)活性层的晶格排列更平

  https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00

用氧化镓制造功率元件 与sic相比成本低且性能出色(2)

采用β-ga2o3制作基板时，可使用“fz(floating zone)法”及“efg(edge-definedfilm-fed growth)法”等溶液生长法，这也是其特点之一，

  https://www.alighting.cn/2012/4/24 14:17:04

最新研制得新一代白光led产品wled登场

n damilano及其研究团队利用氮化铟镓(gainn)/氮化镓(gan)制量子阱来产生蓝光及黄光，进而制作出wled。这项成果使wled的商业化有向前推进一步，未来有希望取代目前使用的白炽灯

  https://www.alighting.cn/news/20081222/120143.htm2008/12/22 0:00:00