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用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
以GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料，在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。
https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38
以GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件，如照明和颜色显示的白光或彩色led，可用于信息存储和激印的蓝紫光激光
https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00
本文追溯了氮化镓材料和蓝色发光二极管的发展历史，回顾了重要的历史事件。iii 簇氮化物是直接带隙半导体材料，发光范围紫外到红外，覆盖整个可见光区，是理想的光电器件材料。同时，具
https://www.alighting.cn/news/20150812/131735.htm2015/8/12 9:41:43
led磊晶台厂广镓光电(8199)于日前在中科举行的股东临时会上进行董监改选。原本计划改选4席董事与3席独立董事，但因其中2席独立董事资格审查作业疏失，因此只选出了4席董事与1
https://www.alighting.cn/news/20100907/116510.htm2010/9/7 9:14:39
台积电转投资led照明公司台湾半导体照明(tslc)以高功率led灯珠，独步台湾采用晶圆级led氮化铝基板封装制程，提供高性价比的解决方案。
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121665.htm2013/12/3 8:52:08
日本碍子称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透
https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39
日本文部科学省将于2016年度内启动名为“有助于实现节能社会的新一代半导体研究开发”的GaN功率元件开发项目。相关负责人介绍说，“这是文科省的第一个电子元器件项目”。该项目的核
https://www.alighting.cn/news/20160418/139483.htm2016/4/18 9:28:20
以高亮度GaN 基蓝光led 为核心的半导体照明技术对照明领域带来了很大的冲击, 并成为目前全球半导体领域研究和投资的热点。本文首先综述了GaN 基材料的基本特性, 分析了ga
https://www.alighting.cn/resource/20130311/125922.htm2013/3/11 9:40:56
研究了采用mocvd技术分别在100与500torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。
https://www.alighting.cn/resource/20150306/123512.htm2015/3/6 11:50:51
