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行业不景气 台湾广光电员工面临无薪假

led厂商广要求员工从十月起,每月多休五天,没积假可休就改扣薪,部分员工面临无薪假情况。有些厂商鼓励员工多消化积假,连明年的假也先“预支”。

  https://www.alighting.cn/news/20111025/n340435215.htm2011/10/25 9:42:06

晶电进驻广董事会,预计于q4申请股票上市

led外延台厂广光电(8199)于日前在中科举行的股东临时会上进行董监改选。原本计划改选4席董事与3席独立董事,但因其中2席独立董事资格审查作业疏失,因此只选出了4席董事与1

  https://www.alighting.cn/news/20100906/105743.htm2010/9/6 0:00:00

led筹资潮再起,广扩产金额达36亿新台币

继晶电、璨圆、泰谷大举筹资后,广也宣布将以每股30元新台币办理现金增资,共计筹资36亿元新台币。光鼎则预计发行现金增资以及可转换公司债,共筹资2.7亿元新台币。

  https://www.alighting.cn/news/20091012/116795.htm2009/10/12 0:00:00

大功率led设计法则

本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;

  https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

GaN衬底技术的新进展及应用

GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景。

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127977.htm2010/7/12 18:02:38

GaN同质衬底应用前景广阔技术有待提高

GaN为代表的iii-v族化合物及其三元、四元系材料因其良好的物理、化学性质被广泛的应用于光电和微电子器件,如照明和颜色显示的白光或彩色led,可用于信息存储和激印的蓝紫光激光

  https://www.alighting.cn/news/20090803/91211.htm2009/8/3 0:00:00

芯片大小和电极位置对GaN基led特性的影响

用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大

  https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45

中山科学研究院开发晶圆级氮化铝led技术

采钰科技与中山科学研究院第四研究所在台湾“经济部”技术处科专计划支援下,共同合作开发晶圆级氮化铝led技术,其20w 超高功率vises系列led氮化铝封装灯珠产品,已于11月成

  https://www.alighting.cn/news/20121219/n648347024.htm2012/12/19 8:50:55

蓝光led节能效益惊人细节揭秘

本文追溯了氮化材料和蓝色发光二极管的发展历史,回顾了重要的历史事件。iii 簇氮化物是直接带隙半导体材料,发光范围紫外到红外,覆盖整个可见光区,是理想的光电器件材料。同时,具

  https://www.alighting.cn/news/20150812/131735.htm2015/8/12 9:41:43

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