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1991年,日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光led,峰值波长430nm,光谱半宽55rim,其光输出功率为当时市场上sicled的10倍,外量子效率约为0.18%。 1995
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
极接点散失之效能。因此,近年来,国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二,其一为寻找高散热系数之基板材料 ,以取代氧化铝,包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263057.html2012/1/29 23:32:04
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263054.html2012/1/29 23:31:54
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层GaN薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262785.html2012/1/29 0:45:12
源,持续稳定支持基础研发,突破未来的白光普通照明核心技术,建立长效机制与创新的环境与氛围,在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪GaN(氮化镓)材料与器件的研究,实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262783.html2012/1/29 0:45:06
、采用碳化硅基板生长GaN薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有:日本的nichia;美国的lumileds、gree;德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装,在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片,内部的联线是混联型式,即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262738.html2012/1/29 0:41:32
国 iii-n technology,3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底,可以增进照明和传感器的应用,并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262735.html2012/1/29 0:41:22