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外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127604.htm2011/5/17 13:32:57
led的发光顏色和发光效率与制作led的材料和工艺有关，目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于led工作电压低（仅1.5-3v），能主动发光且有一定亮度，亮度又能用电压（或电流）调节
https://www.alighting.cn/resource/20110512/127633.htm2011/5/12 10:45:04
《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容：lain-aiGaN-GaN,研究动机,材料的生长和表征;GaN-inGaN材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽GaN模板层上生
https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和sic，si）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30
GaN在 (0 0 0 1)方向是一种极性极强的半导体材料 ,它具有极强的表面特征 ,是目前发现的最好的压电材料 ,而GaN的极性呈现出体材料的特征 ,它的测量要用一些特殊的方
https://www.alighting.cn/resource/20110423/127701.htm2011/4/23 18:39:53
GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
圆做为生产超级led 的基材。超级led 可发出极强的紫外光其强度不因高温而降低，反而会更亮。超级led的半导体，包括钻石、立方氮化硼及氮化铝等具有极宽的能隙，甚至能制成固态的u
https://www.alighting.cn/resource/2011/3/29/15315_53.htm2011/3/29 15:31:05
用同种GaN基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明：GaN基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性与尺寸大
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127842.htm2011/3/23 13:37:45
用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高外延膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材
https://www.alighting.cn/resource/20110211/128058.htm2011/2/11 10:38:56
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
